DDR5 Baru Muncul Tapi Samsung Sudah Merencanakan DDR6 & HBM3

Kita baru saja memasuki era memori DDR5 dengan diperkenalkannya platform Intel Alder Lake, dan akan membutuhkan beberapa waktu untuk standar memori terbaru untuk mendapatkan daya tarik yang signifikan. Artinya, DDR4 tidak akan hilang dari pasar dalam waktu dekat. Namun demikian, Samsungsudah merencanakan untuk apa yang akhirnya terjadi selanjutnya dan memiliki gagasan tentang seberapa cepat modul memori DDR6dan GDDR7 nantinya.

Terkadang rasanya tekhnologi berkembang sangat cepat. Namun, mengingat bahwa produk bermodel baru sering dikembangkan bertahun-tahun sebelumnya, dapat dimengerti bahwa salah satu pembuat chip terbesar akan berbicara tentang standar memori.

Kita mulai dengan munculnya memori DDR5. Kecepatan data awal biasanya berkisar dari 4.800 MT/s hingga 6.400 MT/s, seperti yang digariskan oleh spesifikasi resmi JEDEC. Pada waktunya, pembuat memori akan membujuk kecepatan data yang lebih cepat dari modul memori DDR5 serta pengaturan timing yang lebih ketat. Pasar DDR5 akan sedikit lebih kuat pada saat AMD bergabung dengan Intel di wilayah DDR5 dengan merilis Zen 4 tahun depan.

Melihat melewati semua itu, Samsungberbicara sedikit tentang roadmmap memorinya selama acara Tech Day 2021 baru-baru ini. Untuk itu, DDR6 sudah dalam tahap awal perencanaan dan pengembangan, dengan Samsung berkolaborasi dengan anggota JEDEC pada standar memori generasi berikutnya, yang dapat dirancang pada awal 2024.

Modul DDR6 yang sebenarnya mungkin tidak akan muncul hingga setidaknya tahun 2025. Sebagai referensi, DDR4 dirilis ke pasar pada tahun 2014 dan masih tergolong kuat. Bagaimanapun, memori DDR6 diharapkan menggandakan kecepatan data, ke spesifikasi JEDEC 12.800 MT/s.

Pembuat memori tidak akan berhenti di situ. Samsung juga berbicara tentang modul DDR6 yang bisa di-overclock mencapai 17.000 MHz. Itu empat kali lipat dari DDR4, dan dua kali lipat jumlah DDR5.

Selain masih dalam tahap awal pengembangan DDR6, Samsung juga membicarakan tentang GDDR7. Saat ini, Samsung mengeluarkan modul memori GDDR6 dengan kecepatan data hingga 18.000 MT/s untuk kartu grafis dan berencana untuk meningkatkan 24.000 MT/s dan di sebut juga GDDR6+. GDDR7 akan melangkah lebih jauh, dengan Samsung menggunakan 32.000 MT/s nantinya. Bisa di katakan bandwith setara (Hallo game 8K, mungkin), dan itu juga akan memiliki fitur perlindungan real-time protection.

Bulan lalu, SK-Hynix mengumumkan penyelesaian HBM3pertamanya pada 819 GByte/s, yang akan digunakan dalam produk tahun depan. Memori high-bandwidth generasi ketiga, varian DRAM yang dipangkas untuk kecepatan transfer tertinggi dengan tumpukkan die dan jalur kabel pendek, juga menjadi agenda di Samsung. Pabrikan berbicara tentang 800 GByte/s untuk HBM3 dan 450 GByte/s untuk HBM2Etahap menengah. Samsung berencana untuk memproduksi HBM3 secara massal pada kuartal kedua tahun 2022 dan menekankan kesesuaiannya untuk aplikasi AI.